Great Wisdom Huixin Innovations Unlimited
| Place of Origin: | China |
|---|---|
| Brand Name: | Huixin |
| Certification: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
| Model Number: | BC3400 |
| Minimum Order Quantity: | 3000pcs |
| Price: | Negotiable |
| Packaging Details: | 3000pcs / Reel |
| Delivery Time: | 2-4Weeks |
| Payment Terms: | T/T, Paypal, Cash |
| Supply Ability: | 1 billion pieces/ Month |
| Type: | BC3400 N Channel MOSFET | Drain-Source Voltage: | 30V |
|---|---|---|---|
| Continuous Drain Current: | 5.8A | MPQ: | 3000PCS |
| Sample Time: | 5-7 Days | Sample: | Free |
| Lead Time: | 2-4Weeks | Lead Free Status: | RoHS |
| High Light: | 5.8A Low Voltage Mosfet,350mW Low Voltage Mosfet,BC3400 Plastic Encapsulate MOSFETS |
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| Parameter | Symbol | Value | Unit | ||||||||||||||||||||||||||||
| Drain-Source Voltage | VDS | 30 | V | ||||||||||||||||||||||||||||
| Gate-Source Voltage | VGS | ±12 | V | ||||||||||||||||||||||||||||
| Continuous Drain Current | ID | 5.8 | A | ||||||||||||||||||||||||||||
| Drain Current-Pulsed (note 1) | IDM | 30 | A | ||||||||||||||||||||||||||||
| Power Dissipation | PD | 350 | mW | ||||||||||||||||||||||||||||
| Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 2) | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||
| Junction Temperature | TJ | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
| Storage Temperature | TSTG | -55~+150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Units | ||||||||||||||||||||||||
| Off Characteristics | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain-source breakdown voltage | V(BR) DSS | VGS = 0V, ID =250µA | 30 | V | ||||||||||||||||||||||||||
| Zero gate voltage drain current | IDSS | VDS =24V,VGS = 0V | 1 | µA | ||||||||||||||||||||||||||
| Gate-source leakage current | IGSS | VGS =±12V, VDS = 0V | ±100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||
| On characteristics | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain-source on-resistance (note 3) | RDS(on) | VGS =10V, ID =5.8A | 35 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||
| VGS =4.5V, ID =5A | 40 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||||
| Forward tranconductance | gFS | VDS =5V, ID =5A | 8 | S | ||||||||||||||||||||||||||
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS =VGS, ID =250µA | 0.7 | 1.4 | V | |||||||||||||||||||||||||
| Dynamic Characteristics (note 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Input capacitance | Ciss | VDS =15V,VGS =0V,f =1MHz | 1050 | pF | ||||||||||||||||||||||||||
| Output capacitance | Coss | 99 | pF | |||||||||||||||||||||||||||
| Reverse transfer capacitance | Crss | 77 | pF | |||||||||||||||||||||||||||
| Gate resistance | Rg | VDS =0V,VGS =0V,f =1MHz | 3.6 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||
| Switching Characteristics (note 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Turn-on delay time | td(on) | VGS=10V,VDS=15V, RL=2.7Ω,RGEN=3Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||
| Turn-on rise time | tr | 7 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Turn-off delay time | td(off) | 40 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Turn-off fall time | tf | 6 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Drain-source diode characteristics and maximum ratings | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Diode forward voltage (note 3) | VSD | IS=1A,VGS=0V | 1 | V | ||||||||||||||||||||||||||
